章節
主題與內容細節
作者與所屬機構
第一章

總論

  • 電晶體與積體電路的發明
  • 積體電路製程技術
  • 關於摩爾定律
  • 記憶體積體電路的發展
  • 新摩爾定律
鄭晃忠、翁士元
交通大學
第二章

擴散模組

  • 前言
  • 熱氧化
  • 先進CMOS積體電路離子佈植
劉傳璽
台灣師範大學
第三章

薄膜模組

  • 金屬化製程的金屬材料源及製程方式
  • 金屬薄膜物理氣相沉積
  • 金屬薄膜化學氣相沉積
  • 金屬薄膜化學電鍍沉積
  • 金屬化薄膜在IC製程上的應用
  • 介電層的介紹
  • 化學氣相沉積
  • 介電層化學氣相沉積反應器類型
  • 介電層化學氣相沉積製程的薄膜特性
  • 介電層在積體電路製造的應用
廖忠賢 (聯華電子)
林薏菁 (旺宏電子)
第四章

微影模組

  • 前言與光阻性質
  • 微米與次微米曝光系統
  • 先進奈米曝光系統與技術
  • 微影模組關鍵因素與趨勢
王木俊 (明新科大)
林世杰 (台積電)
第五章

蝕刻模組

  • 前言
  • 蝕刻技術原理
  • 濕式蝕刻
  • 乾式蝕刻
  • 先進蝕刻製程技術與應用
鄒議漢 (聯華電子)
曾靖揮 (南亞科技)
第六章

High-k介電層製程(I):材料與整合製程

  • 前言
  • 高介電係數介電層的需求與特性
  • 高介電係數介電層的元件製程
  • 高介電係數介電層/金屬閘極元件的物理和電性特性
陳鴻文 (長庚大學)
劉傳璽 (台灣師範大學)
第七章

High-k介電層製程(II):應用

  • 前言
  • 高介電係數材料在SONOS記憶體上的應用
  • 高介電係數材料在奈米晶體記憶體上的應用
  • 高介電係數材料在電阻式記憶體上的應用
  • 高介電係數材料在感測場效電晶體上的應用
賴朝松 (長庚大學)
王哲麒
第八章

應變矽製程

  • 應變矽工程的理論基礎
  • 全面性應變(矽鍺緩衝層結構)
  • 區域性應變(製程造成)
  • 先進應變矽元件製程技術
李敏鴻 (台灣師範大學)
張書通 (中興大學)
第九章

SOI製程

  • 前言
  • SOI MOSFET操作原理
  • SOI原件之應用
  • 新型SOI原件
  • SOI元件未來發展與展望
  • 結論
葉文冠 (高雄大學)
林成利 (逢甲大學)
第十章

非揮發性記憶體製程

  • 前言
  • 載子注入型記憶體發展
  • 相變化記憶體
  • 磁阻隨機存取記憶體
  • 鐵電隨機存取記憶體
  • 電阻式隨機存取記憶體
阮弼群 (明志科大)
第十一章

動態隨機存取記憶體技術

  • 前言
  • DRAM簡介
  • DRAM的工作原理
  • DRAM記憶單元技術
  • 週邊電路元件技術及其它
  • DRAM未來之發展
  • 結論
何青松 (力晶科技公司)
第十二章

新世代邏輯製程應用

  • 前言
  • 邏輯製程平台-微型化
  • 嵌入式記憶體
  • 整合類比射頻與高電壓元件
  • 整合感測與致動元件
楊健國 (台灣積體電路公司)
第十三章

三維積體電路製程

  • 前言
  • 晶圓級三維積體電路製程
  • 三維積體電路系統構裝技術
  • 三維積體電路製程技術在微系統的應用
  • 三維積體電路優點與挑戰
陳冠能 (交通大學)
陳裕華 (工研院)
鄭裕庭 (交通大學)
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